Łukasiewicz kontynuuje współpracę naukową z Tajwanem. 18 maja w Taipei na 10. Polsko-Tajwańskich Konsultacjach Gospodarczych zawarto porozumienie między Instytutem Techniki Przemysłowej (ITRI) na Tajwanie a Siecią Badawczą Łukasiewicz dotyczące prac badawczo-rozwojowych w obszarze półprzewodników na bazie azotku galu. W ramach rewizyty, która odbyła się 27 września w Warszawie, rozmawiano o wspólnych projektach badawczych w obszarze technologii na bazie azotku galu.
W delegacji Tajwanu obecni byli m.in.: Ming-Yen Tsai, ambasador Tajwanu przy Unii Europejskiej; Connie Chang, dyrektor generalny Narodowej Rady Rozwoju; Shih-Fan Lu, zastępca dyrektora generalnego w Ministerstwie Spraw Zagranicznych, a także liczni przedstawiciele ministerstw oraz uniwersytetów. W trakcie spotkania Sieć Badawczą Łukasiewicz reprezentował prezes Piotr Dardziński, wiceprezes Marcin Kraska, Marcin Kardas, Jakub Kaczmarski, Katarzyna Jodko-Piórecka, Justyna Duszyńska oraz eksperci z Łukasiewicz – IMIF. W spotkaniu uczestniczył także Mateusz Gaczyński, zastępca dyrektora Departamentu Innowacji i Rozwoju w Ministerstwie Edukacji i Nauki.
Rozmowy dotyczyły przede wszystkim wspólnych projektów badawczo-rozwojowych w obszarze technologii na bazie azotku galu do zastosowań w elektronice wysokich mocy (przetwarzanie energii, elektromobilność, offshore) oraz wysokich częstotliwości (techniki radarowe, telekomunikacja). Dyskutowano również na temat budowy wspólnej infrastruktury badawczej w obszarze mikroelektroniki w planowanym do powstania kampusie Łukasiewicza w Macierzyszu. W trakcie spotkania poruszono także temat wymiany kadr między instytucjami naukowymi Tajwanu i Polski.
W Polsce technologie na bazie azotku galu (GaN) rozwijane są w instytutach badawczych, uczelniach i przedsiębiorstwach. Podłoża z GaN stanowią podstawę projektowanych i wytwarzanych w Polsce układów i systemów takich jak wysokosprawne zasilacze lub układy nadawczo-odbiorcze do radarów.
Wspólnie z podmiotami z Tajwanu chcemy te technologie dalej rozwijać, a w szczególności skalować z myślą o budowie fabryki przyrządów półprzewodnikowych na bazie GaN.
