Technologie półprzewodnikowe GaN w Łukasiewicz – IMiF: wizyta ekspertów z Tajwanu

Czas czytania: 8 min

W Łukasiewicz – Instytucie Mikroelektroniki i Fotoniki odbyło się spotkanie polskich naukowców z ekspertami z Tajwanu, poświęcone technologiom półprzewodnikowym opartym na azotku galu (GaN). W wydarzeniu uczestniczyła delegacja przedstawicieli ITRI (Industrial Technology Research Institute) pod przewodnictwem ministra Lin Chia-Lunga, a także Centrum Łukasiewicz na czele z Prezesem dr. Hubertem Cichockim.

Program spotkania obejmował prezentacje poświęcone kompetencjom Łukasiewicz – IMiF oraz ITRI w zakresie technologii GaN, rozmowy o dalszej współpracy badawczo-rozwojowej oraz wizytę w laboratoriach Instytutu. Aktualne działania i plany rozwoju prezentowali m.in. dr inż. Andrzej Taube z Łukasiewicz – IMiF oraz dr Robert Lo z ITRI.

Znaczenie technologii GaN dla nowoczesnej gospodarki

Półprzewodniki szerokoprzerwowe nowej generacji są fundamentem rozwoju energooszczędnej elektroniki mocy wykorzystywanej m.in. w elektromobilności, energetyce, telekomunikacji, systemach radarowych i technologiach bezpieczeństwa. Łukasiewicz – IMiF rozwija technologie urządzeń GaN dla zastosowań energetycznych, mikrofalowych i fotonicznych, a także uczestniczy w europejskich inicjatywach wzmacniających kompetencje w obszarze zaawansowanych półprzewodników.

Relacje rozwijane od 2022 roku tworzą solidne podstawy do wspólnych badań, wymiany wiedzy oraz budowy długofalowego ekosystemu technologii GaN.

Spotkanie stanowiło kolejny krok w budowaniu międzynarodowych partnerstw, które przyspieszają rozwój technologii ważnych dla gospodarki, energetyki i bezpieczeństwa przyszłości.

DOWIEDZ SIĘ WIĘCEJ

przeczytaj również​

This will close in 0 seconds