Główny specjalista ds. epitaksji (K/M) 

WYMAGANIA OBOWIĄZKOWE:
  • Stopień doktora i 2-letnie doświadczenie w sektorze B+R albo wykształcenie wyższe magisterskie i 3-letnie doświadczenie w sektorze B+R, w tym udział w realizacji projektów badawczych
  • Preferowani absolwenci kierunków: fizyka, fizyka techniczna, elektronika, inżynieria materiałowa
  • Minimum 5 lat doświadczenia w pracy nad technologiami wzrostu kryształów i epitaksji heterostruktur półprzewodnikowych
  • Znajomość metod MBE i MOCVD oraz technologii ultra wysokiej próżni (UHV)
  • Doświadczenie w pracy w środowisku clean-room.
  • Dobra znajomość języka angielskiego (poziom B2)
  • Umiejętność pracy samodzielnej i zespołowej
  • Dokładność, systematyczność oraz zdolność rozwiązywania problemów i przekazywania wiedzy
OPIS STANOWISKA

Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki (Łukasiewicz-IMiF) prowadzi prace badawczo-rozwojowe w obszarze zaawansowanych technologii mikroelektronicznych i fotonicznych. Posiada unikalne laboratoria technologiczne oraz kapitał intelektualny, które umożliwiają podejmowanie prac naukowych i projektów na rzecz podnoszenia innowacyjności polskich przedsiębiorstw tworząc jednocześnie bazy wiedzy high-tech w zakresie wytwarzania innowacyjnych materiałów oraz technologii i konstrukcji przyrządów mikroelektroniki i fotoniki, technologii azotku galu oraz technologii LTCC i elektroniki drukowanej oraz czujników medycznych, środowiskowych. Łukasiewicz–IMiF corocznie realizuje kilkadziesiąt projektów finansowanych ze środków krajowych i zagranicznych, których rezultaty mają zwiększyć innowacyjność polskiej gospodarki.

Rodzaj umowy: umowa o pracę
Liczba wolnych stanowisk pracy: 1
Wymiar etatu: 100% etatu
Miejsce pracy: Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

NAZWA INSTYTUTU
CODZIENNE ZADANIA:
  • Prowadzenie epitaksjalnego wzrostu heterostruktur półprzewodnikowych (III-V) metodami MBE i MOCVD, ze szczególnym uwzględnieniem struktur kwantowych laserów kaskadowych (QCL) i laserów międzypasmowych (ICL)
  • Optymalizacja procesów wzrostu, opracowywanie i aktualizacja procedur technologicznych
  • Charakteryzacja i analiza parametrów warstw półprzewodnikowych oraz wprowadzanie korekt do procesów
  • Serwis i nadzór nad urządzeniami epitaksjalnymi i aparaturą próżniową
  • Realizacja projektów badawczo-rozwojowych oraz publikowanie prac naukowych
  • Składanie wniosków o finansowanie projektów badawczych
  • Szkolenie i wsparcie merytoryczne członków zespołu
  • Udział w pozyskiwaniu zleceń oraz współpraca z klientami i partnerami przemysłowymi
BENEFITY:
  • Pakiety medyczne
  • Grupowe ubezpieczenie na życie
  • Karta sportowa
  • Dofinansowanie szkoleń i kursów
  • Dodatkowe świadczenia socjalne
  • Dofinansowanie wypoczynku
  • Świadczenie świąteczne
  • Nagrody jubileuszowe
  • Dodatkowe dni wolne
  • Inicjatywy dobroczynne

OFERUJEMY

  • Pracę w organizacji realizującej innowacyjne, krajowe i zagraniczne, prestiżowe projekty badawczo-rozwojowe
  • Stabilne zatrudnienie na umowę o pracę
  • Kulturę wspierającą różnorodność i rozwój
  • Udział w konferencjach krajowych i zagranicznych
  • Programy zatrudniania finalistów olimpiad przedmiotowych
  • Możliwość realizowania praktyk szkolnych i studenckich
  • Dostęp do wydawnictw naukowych
  • Elastyczne godziny pracy

Błąd: Brak formularza kontaktowego.

This will close in 0 seconds

This will close in 0 seconds